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中国自主研发内存即将问世 内存垄断格局要变天了

进入NAND闪存后,紫光集团在过去几天与重庆市政府签署了合作协议。它将在当地建立一个记忆研发中心和一个工厂。投资规模尚未公布。在2021年,国内生产的存储芯片将大规模生产。

紫光集团于今年6月成立DRAM存储业务部门,并任命史世晶为紫光集团DRAM业务集团董事长。他任命高启全为紫光集团DRAM业务集团首席执行官,并正式进入存储芯片行业。重庆工厂预计将于今年年底开工,2021年。生产,建设期约两年。

对于存储器行业来说,紫光集团在这个市场上不是一两天。据报道,在投资长江储存的NAND闪存生产之前,紫光最初计划先做DRAM内存,但内存门槛较高。所需的人才和投资要求也比较麻烦,所以紫光首先制作了闪存,现在正式进入了内存。

根据紫光之前发布的信息,紫光集团成立了一支庞大的科研队伍,积累了2000多名存储芯片研发人员,这是紫光内存厂的建设。开发生产记忆的基础。

目前,全球内存主要由三星,SK海力士和美光在美国控制。它们占据了95%的内存市场,而且技术也是最先进的。其他国家和地区的公司未能与之竞争。

从现实来看,紫光的记忆工厂不仅有两年的批量生产,而且即使是批量生产,初期生产能力也将非常有限,需要不断解决全球产量和生产率问题。记忆市场。在每月约200万片晶圆的容量中,紫光在未来几年的份额将非常小,而且几年内很难改变存储器市场。

然而,紫光进入内存市场仍然让这些公司警觉起来。特别是在今年和未来一两年,全球记忆面临产能过剩问题。一旦中国公司进入战场,价格战将不可避免地开始。现有公司非常担心中国公司的影响。

(编辑:DF515)

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